[发明专利]化学机械研磨后(POST CMP)清洁组合物在审
| 申请号： | 201980073312.6 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112996893A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | D·怀特;M·怀特;刘俊;E·托马斯 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C11D3/30 | 分类号： | C11D3/30;C11D3/28;C11D3/37 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明大体上涉及一种组合物和方法，所述组合物和所述方法用于自上面具有残留物和污染物的微电子装置清洁所述残留物和/或污染物。所述残留物可包括CMP后、蚀刻后和/或灰分后残留物。所述组合物和方法在对包含铜、低k介电材料和阻挡材料的微电子表面进行清洁时尤其有利，所述阻挡材料包含含钽材料，含钴材料，含钽、含钨和含钌材料中的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 post cmp 清洁 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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