[发明专利]接近传感器在审

专利信息
申请号: 201980073442.X 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN112997405A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 广野大辅;木村胜治;浦野雄贵 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H03H19/00 分类号: H03H19/00;H04B5/00;G01B7/00
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 乔焱;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了能够检测两个线圈之间的距离的接近传感器。接近传感器配备有参考信号生成电路单元、第一线圈、第二线圈、时钟信号生成电路单元和开关电容器电路单元。在该接近传感器中,参考信号生成电路单元向第一线圈施加第一AC电压,并且将与第一AC电压同步的参考信号传输至时钟信号生成电路单元,与第一线圈磁场耦合的第二线圈生成第二AC电压,第二AC电压与第一线圈和第二线圈的耦合系数相关,时钟信号生成电路单元向开关电容器电路单元传输与参考信号相对应的多个时钟信号,并且开关电容器电路单元在多个时钟信号各者变化的时刻处获取第二交流电压,由此检测第一线圈和第二线圈之间的距离。
搜索关键词: 接近 传感器
【主权项】:
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