[发明专利]用于制造集成MEMS换能器设备的方法和集成MEMS换能器设备在审
申请号: | 201980074084.4 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN112996746A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 凯拉什·维贾亚库马尔;瑞曼科·亨里克斯·威廉姆斯·皮内伯格;威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林;索菲·吉耶曼;耶格·西格特 | 申请(专利权)人: | 希奥检测有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 侯丽英;刘继富 |
地址: | 荷兰埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于制造集成微机电系统MEMS换能器设备的方法,该方法包括向衬底主体(1)提供表面、在该表面上沉积蚀刻停止层ESL(8)、在该ESL(8)上沉积牺牲层(3)、在该牺牲层(3)上沉积隔膜层(6)、以及去除牺牲层(3)。沉积牺牲层(3)包括沉积第一材料的第一子层(4)和沉积第二材料的第二子层(5),其中第一材料和第二材料是不同的材料。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 集成 mems 换能器 设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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