[发明专利]抑制晶圆上的缺陷、金属颗粒污染和膜生长的系统和方法在审
| 申请号： | 201980074237.5 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112997292A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 科里·莱姆利;理查德·法雷尔;姜浩英 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;马骁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于对衬底进行加工的方法。某些膜(包括含金属的膜)当被沉积到半导体晶圆上时可能会造成缺陷和污染。本文的方法通过选择性地阻挡金属颗粒和含金属的材料的粘附来限制金属污染。方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面，并通过光化辐射曝光感兴趣区域。光化辐射引起该中心区内该自组装单层内的去保护反应。该方法还包括从该感兴趣区域去除该自组装单层，而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层，从而阻挡金属颗粒和膜的粘附。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 晶圆上 缺陷 金属 颗粒 污染 生长 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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