[发明专利]工件加工用片在审
申请号: | 201980074603.7 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN113016055A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 高丽洋佑;佐藤明德 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/38;C09J133/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种工件加工用片,其具备基材与粘着剂层,所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成,且将所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F0,将把所述工件加工用片贴合于硅晶圆而成的层叠体于150℃加热1小时,然后对构成所述层叠体的粘着剂层照射活性能量射线后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F2时,粘着力F0为600mN/25mm以上20000mN/25mm以下,粘着力F2与粘着力F0的比(F2/F0)为0.66以下。根据该工件加工用片,可在加工工件时对该工件发挥充分的粘着力,且在经过加热处理之后能够与加工后的工件良好地分离。 | ||
搜索关键词: | 工件 工用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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