[发明专利]用于对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液和使用其的半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201980074655.4 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113015823B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 深泽隼;藤井智子;松永裕嗣 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及抑制镍、锡、金和它们的合金的溶解、且能对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其包含：相对于蚀刻液的总质量为5～10.5质量％的(A)过氧化氢；相对于蚀刻液的总质量为0.3～6质量％的(B)硝酸；(C)任选具有取代基的、选自由三唑和四唑组成的组中的1种以上的含氮五元环化合物，所述取代基选自由碳数1～6的烷基、氨基、以及具有选自由碳数1～6的烷基和苯基组成的组中的取代基的取代氨基组成的组中的1种以上；以及(D)(d1)选自由碱金属氢氧化物、氨、胺和铵盐组成的组中的1种以上的pH调节剂、(d2)膦酸化合物或(d3)它们的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 铜合金 选择性 进行 蚀刻 使用 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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