[发明专利]使用自限制和溶解度受限反应的原子层湿法蚀刻在审
| 申请号： | 201980074921.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN113016056A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 保罗·阿贝尔 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文披露了一种用于在蚀刻期间改进材料的微观和宏观均匀性二者的加工系统和平台。这些改进可以通过使用原子层湿法蚀刻(ALE)技术在材料表面上形成和溶解薄的自限制层来完成。对于多晶材料的蚀刻，可以使用这些自限制反应来防止蚀刻期间表面的这种粗糙化。因此，如本文所披露的，湿法ALE工艺使用顺序的自限制反应来首先对材料的表面层进行改性，然后选择性地去除改性层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 限制 溶解度 受限 反应 原子 湿法 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
