[发明专利]气泡缺陷减少在审
| 申请号： | 201980075195.7 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN113016053A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 阿希尔·N·辛格尔;巴特·简·范施拉芬迪克;吉里什·A·迪克西特;大卫·C·史密斯;西瓦·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些示例中，一种处理衬底的方法包括：在衬底的表面上施加光致抗蚀剂(PR)，在PR上沉积或蚀刻金属氧化物(MO)层之前，将PR预先暴露于紫外线(UV)光，然后在将PR预先暴露于UV光之后，在PR上沉积或蚀刻MO层。 | ||
| 搜索关键词： | 气泡 缺陷 减少 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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