[发明专利]等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201980075516.3 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN113039628A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 木下哲郞;植松照博 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供等离子体切割用保护膜形成剂、和使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法，所述等离子体切割用保护膜形成剂在通过等离子体切割将半导体基板切断而制造半导体芯片时，在保护膜的所期望的位置，能够通过激光的照射而良好地形成所期望形状的开口(加工槽)。在包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)的等离子体切割用保护膜形成剂中，使用在热重测定中升温至500℃时显示出80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 切割 保护膜 形成 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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