[发明专利]用于结合的选择性单层掺杂的方法和设备在审
| 申请号： | 201980075528.6 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113016075A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 本杰明·科伦坡;沃尔夫冈·R·阿德霍尔德;罗安迪;黄奕樵 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/15;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用结合的选择性单层掺杂(SMLD)工艺在半导体装置中形成掺杂材料层的方法和设备。使用SMLD工艺将一种浓度的掺杂剂沉积于材料层上，然后将所述浓度的掺杂剂退火以将所述浓度的掺杂剂扩散进入材料层中。SMLD工艺使所述浓度的掺杂剂顺应于材料层的表面而保形，并且可以在单个CVD腔室中执行。也可以重复SMLD工艺以进一步变更掺杂剂进入材料层的扩散参数。SMLD工艺可与p型掺杂剂物质和n型掺杂剂物质相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结合 选择性 单层 掺杂 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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