[发明专利]保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201980075529.0 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113016066A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 野岛一马 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明将具备支撑片(10)与形成在支撑片(10)的第一面(10a)上的保护膜形成用膜(13)的保护膜形成用复合片(101)中的支撑片(10)侧的最表层的表面电阻率设为1.0×10 |
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| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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