[发明专利]Cr-Si系烧结体有效

专利信息
申请号: 201980075791.5 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN113165984B 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 原浩之;仓持豪人;伊藤谦一 申请(专利权)人: 东曹株式会社
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C01B33/06;C04B35/626;C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 日本国山口县*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 包含硅化铬(CrSi2)、硅(Si)的Cr‑Si系烧结体难以获得高强度。本发明提供一种包含Cr(铬)、硅(Si)的Cr‑Si系烧结体,其特征在于,根据X射线衍射确定的结晶结构由硅化铬(CrSi2)、硅(Si)构成,CrSi2相在块体中存在60wt%以上,烧结体密度为95%以上,CrSi2相的平均粒径为60um以下。
搜索关键词: cr si 烧结
【主权项】:
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