[发明专利]功率半导体器件和用于生产这种器件的无荫罩的方法有效
| 申请号： | 201980076321.0 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN113056812B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | C·帕帕多普洛斯;B·K·波克斯汀;M·安德娜;C·科瓦斯塞;G·昆克尔 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/32;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率半导体器件包括：具有有源区(AR)和横向围绕有源区的终端区(TR)的晶片(2)；终端区中的浮置场环；包括减少载流子寿命的缺陷的寿命控制区；和晶片上的保护层(6)。保护层覆盖终端区，并包括薄部分(61)和横向围绕薄部分的厚部分(62)。厚部分覆盖浮置场环。寿命控制区(5)在横向方向上延伸穿过有源区，并且在终端区中延伸穿过被薄部分覆盖的部分，并且不在被厚部分覆盖的部分中。根据制造方法，使用保护层(6)作为照射掩模，通过利用离子照射晶片(2)来形成寿命控制区。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 用于 生产 这种 器件 无荫罩 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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