[发明专利]霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法在审
| 申请号： | 201980076570.X | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN113169270A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·施密特;马里奥·布拉西尼;格哈德·施皮茨尔施佩格;亚历山德罗·蒙塔尼亚 | 申请（专利权）人： | 拉芳德利责任有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L27/22;H01L43/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括竖直霍尔元件(100)的霍尔集成电路，具有在竖直方向上堆叠的第一晶片(10)和第二晶片(20)，该第二晶片包括CMOS基板(201)和布置在CMOS基板(201)上的介电层堆叠(204)，该CMOS基板(201)集成有与竖直霍尔元件(100)耦合的CMOS处理电路，并且该第一晶片(10)包括霍尔传感器层(102)，该霍尔传感器层具有沿竖直方向相对并在垂直于竖直方向的水平面中延伸的第一表面(10b)和第二表面(10d)，第一晶片和第二晶片(10，20)通过插入有布置在霍尔传感器层(102)的第一表面(10b)上方的介电层(105)进行接合。竖直霍尔元件(100)具有：至少一第一霍尔端子(1)，是布置在霍尔传感器层(102)的第一表面(10b)上的第一掺杂区域；至少一第二霍尔端子(4)，是布置在霍尔传感器层(102)的第二表面(10d)上的第二掺杂区域，该第二掺杂区域沿竖直方向(z)与第一掺杂区域对齐，并与第一掺杂区域分隔开霍尔传感器层(102)的厚度；深沟槽隔离环(107)，其从第一表面(10b)延伸穿过霍尔传感器层(102)延伸到第二表面(10d)，并且包围并隔离霍尔传感器层(102)的霍尔传感器区域，其中布置有第一霍尔端子和第二霍尔端子(1，4)；以及第一导电结构和第二导电结构(111，114)，其分别耦合到第一霍尔端子、第二霍尔端子(1，4)并电连接到嵌入在第二晶片(20)堆叠(204)中的相应接触焊盘(221，224)。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔 集成电路 以及 使用 晶片 堆叠 制造 对应 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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