[发明专利]激光退火装置在审
| 申请号： | 201980076628.0 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113169054A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 后藤顺;泽井卓哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;洪秀川 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 激光退火装置具备：光源部，其具备射出激光束的半导体激光器；均匀化元件，其具有光入射面和与该光入射面对置的光出射面，从半导体激光器直接射出的激光束向光入射面入射，从光出射面射出均匀化了的激光束；以及出射侧成像系统，其将该均匀化元件的光出射面向被处理基板的表面投影。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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