[发明专利]激光退火装置在审
| 申请号： | 201980076630.8 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113056809A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;洪秀川 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种激光退火装置，其对非晶硅膜的要进行改性的改性预定区域照射激光来使所述改性预定区域生长为晶化硅膜以进行改性，其中，所述激光退火装置具备：第一照射部，其对所述非晶硅膜进行用于形成籽晶区域的第一激光的照射；以及第二照射部，其进行第二激光的照射，在所述第二激光的照射中，使向所述非晶硅膜的表面照射的激光的光束点以所述籽晶区域为起点而以包罗所述改性预定区域内的方式移动，从而使所述改性预定区域内的所述非晶硅膜改性成为所述晶化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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