[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 201980076850.0 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113169061A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘明;藤原直澄;尾辻正幸;吉田幸史;上田大 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;沈静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 基板处理方法包括：第1液膜形成工序，通过向基板的表面供给含有固体形成物质的处理液而在上述基板的表面形成上述处理液的第1液膜；第1固体膜形成工序，从上述第1液膜形成含有固体状态的上述固体形成物质的第1固体膜；第1固体膜剥离去除工序，通过向上述基板的表面供给将上述第1固体膜剥离的剥离液而将上述第1固体膜从上述基板的表面剥离并去除；第2液膜形成工序，在从上述基板的表面去除了上述第1固体膜后，通过向上述基板的表面供给上述处理液而在上述基板的表面形成上述处理液的第2液膜；第2固体膜形成工序，从上述第2液膜形成含有固体状态的上述固体形成物质的第2固体膜；以及第2固体膜气化去除工序，使上述第2固体膜以不经由液体状态的方式气化，将上述第2固体膜从上述基板的表面去除。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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