[发明专利]垂直SOT MRAM在审
| 申请号： | 201980076994.6 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113056826A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | G·米哈伊洛维奇;M·格罗比斯 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/06;G11C11/16;H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MRAM存储器单元，该MRAM存储器单元包括SHE层、具有垂直各向异性的磁位层和奥斯特层。该磁位层具有可切换的磁化方向以便存储数据。使用自旋霍尔效应将数据写入该MRAM存储器单元，使得在该SHE层中生成的自旋电流在该磁位层上施加转矩，同时该奥斯特层提供热量和奥斯特场以实现确定性切换。使用反常霍尔效应以及在所述奥斯特层处感测电压来从该MRAM存储器单元读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 sot mram | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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