[发明专利]扫描斜角蚀刻装置以及提供分开的共线自由基及离子的技术在审
| 申请号： | 201980077202.7 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN113169113A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 彼得·F·库鲁尼西;摩根·艾文斯;约瑟·C·欧尔森;克里斯多福·A·罗兰德;詹姆士·布诺德诺 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种系统可包括被配置成支撑衬底的衬底台，其中所述衬底的主表面界定衬底平面。所述系统可包括离子源，所述离子源包括提取组件，所述提取组件取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定非零入射角的轨迹将离子束导向所述衬底。所述系统可包括自由基源，所述自由基源取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定所述非零入射角的轨迹将自由基束导向所述衬底。所述衬底台还可被配置成沿着第一方向扫描所述衬底，所述第一方向位于所述衬底平面上，同时所述衬底的所述主表面在所述衬底平面内取向。 | ||
| 搜索关键词： | 扫描 斜角 蚀刻 装置 以及 提供 分开 共线 自由基 离子 技术 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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