[发明专利]用于预测半导体制造过程的产率的方法在审
| 申请号： | 201980077324.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN113168111A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张幼平;B·门奇奇科夫;C·E·塔贝里;邹毅;林晨希;程亚娜;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;M·格宁 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种用于预测与在衬底上制造半导体器件的过程有关的产率的方法，该方法包括：获得将模型化参数转换为产率参数的经训练第一模型，上述模型化参数包括：a)与以下中的一项或多项相关联的几何参数：通过该过程制造的器件元件的几何特性、尺寸或位置，以及b)经训练自由参数；获得包括表征该过程的过程参数的过程参数数据；将过程参数数据转换为几何参数的值；以及使用经训练第一模型和几何参数的值来预测产率参数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 预测 半导体 制造 过程 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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