[发明专利]超级结半导体器件制作在审
| 申请号： | 201980077883.7 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113412544A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 列扎·甘迪;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫;彼得·阿尔默恩·洛斯;戴维·阿兰·利林菲尔德 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/768;H01L29/78;H01L29/73;H01L29/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了制造超级结(SJ)器件的SJ层，可以在下层上形成具有第一导电类型的外延(epi)层，所述下层可以由宽带隙材料形成。然后可以将第一掩膜形成在所述epi层的第一部分上，并且可以将第一组SJ柱选择性地注入到所述epi层的被所述第一掩膜暴露的第二部分中。然后，可以在所述epi层的所述第二部分上形成第二掩膜，所述第二掩膜相对于所述第一掩膜自对准。在去除所述第一掩膜后，可以将第二组SJ柱选择性地注入到所述epi层的所述第一部分中。去除所述第二掩膜然后可以产生所述SJ层。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 半导体器件 制作 | ||
【主权项】：
暂无信息
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