[发明专利]非易失性电阻式随机存取存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201980078312.5 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113169167A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | A·斯里尼瓦桑;S·瓦拉巴普;维贾雅·斯里尼瓦苏·瓦拉巴普拉普 | 申请（专利权）人： | 南非大学 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王艳波;王珺 |
| 地址： | 南非,比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性电阻式随机存取存储器(ReRAM)、非易失性ReRAM成分和一种用于制造非易失性ReRAM的方法。ReRAM包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的电阻式切换/有源层。切换层含有壳聚糖和铝掺杂/掺入的氧化锌。切换/有源层可以被构造为根据施加的电压执行切换操作。切换/有源层可以是膜的形式。切换/有源层可以被涂覆/施加到第一电极上，并且第二电极可以被设置/施加/提供在切换/有源层上方，使得切换/有源层位于/楔入这两个电极中间。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
