[发明专利]成膜方法、成膜装置、基座单元以及基座单元所使用的间隔件组在审
申请号: | 201980078629.9 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN113169051A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 醍醐佳明 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/458;C23C16/52 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 成膜方法包括如下步骤:在基座单元上载置晶片,所述基座单元包括:支承部件,用于载置所述晶片;侧面引导件,设置于所述支承部件上,包围所述晶片的外周的至少一部分;以及间隔件,用于调整所述晶片的上表面与所述侧面引导件的上表面的位置;在所载置的所述晶片的上表面成膜出规定的膜并且在所述侧面引导件上形成膜;基于所成膜出的所述规定的膜的厚度,使用所述间隔件来调整所述侧面引导件的上表面相对于所述晶片的上表面的位置;以及在被调整了所述位置后的所述基座单元上载置新的晶片,成膜出新的规定的膜。 | ||
搜索关键词: | 方法 装置 基座 单元 以及 使用 间隔 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纽富来科技股份有限公司,未经纽富来科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980078629.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有全晶片覆盖能力的极高敏感度混和式检验
- 下一篇:吸量器吸头托盘和架组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造