[发明专利]用于高生产量扫描束离子注入机的扫描和校正器磁体设计在审
申请号: | 201980078886.2 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN113169011A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯科技公司 |
主分类号: | H01J37/147 | 分类号: | H01J37/147;H01J37/317 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 刘芳;寿宁 |
地址: | 美国马萨诸塞州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种离子注入系统和方法提供带状离子束的非均匀通量。形成点离子束并将其提供给扫描仪,并且向扫描仪施加具有时变电势的扫描波形。扫描仪在扫描路径上对离子束进行扫描,从而大体上限定由多个子束组成的扫描离子束。然后,扫描射束通过校正器装置。校正器装置构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向工件引导扫描离子束。校正器装置还包括多个磁极,该多个磁极构造成在理想点离子束以基本上恒定的速度完全扫描工件的理想情况下,在工件处提供扫描离子束的非均匀通量分布,其中,非均匀通量分布具有从工件的中心区域向工件的边缘基本上单调增加的通量。 | ||
搜索关键词: | 用于 生产量 扫描 离子 注入 校正 磁体 设计 | ||
【主权项】:
暂无信息
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