[发明专利]包括背侧栅极电极的三维铁电存储器器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980078942.2 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN113196485A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 佐藤大治 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: H01L27/1159 分类号: H01L27/1159;H01L27/11587;H01L29/51;H01L21/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种铁电存储器器件,所述铁电存储器器件包括:绝缘体层和导电层的交替堆叠,所述交替堆叠定位在衬底的顶表面上方;存储器堆叠结构,所述存储器堆叠结构竖直延伸通过所述交替堆叠并且包括铁电材料层、接触所述铁电材料层的前侧栅极电介质,以及接触所述前侧栅极电介质的竖直半导体沟道;背侧栅极电介质,所述背侧栅极电介质接触所述竖直半导体沟道;以及背侧栅极电极,所述背侧栅极电极接触所述背侧栅极电介质。所述铁电材料层的与所述导电材料层相邻的部分可用极化状态来编程以存储数据。
搜索关键词: 包括 栅极 电极 三维 存储器 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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