[发明专利]具有鳍式场效应晶体管结构和HKMG存储器和逻辑栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备具有多个向上延伸的半导体衬底鳍、形成在第一鳍上的存储器单元以及形成在第二鳍上的逻辑器件。存储器单元包括：位于第一鳍中的源极区和漏极区，其间具有沟道区；多晶硅浮栅，该多晶硅浮栅沿包括第一鳍的侧表面和顶表面的沟道区的第一部分延伸；金属选择栅，该金属选择栅沿包括第一鳍的侧表面和顶表面的沟道区的第二部分延伸；多晶硅控制栅，该多晶硅控制栅沿浮栅延伸；和多晶硅擦除栅，该多晶硅擦除栅沿源极区延伸。逻辑器件包括：位于第二鳍中的源极区和漏极区，其间具有第二沟道区；和金属逻辑栅，该金属逻辑栅沿包括第二鳍的侧表面和顶表面的第二沟道区延伸。