[发明专利]等离子体处理装置用构件和具备它的等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201980079404.5 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113260732A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 石川和洋;日野高志;斋藤秀一 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C04B35/10;C04B41/87;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置用构件和具备它的等离子体处理装置，其耐等离子体性优异，膜对于基材的密接强度得到提高。等离子体处理装置用构件(1)具备如下而成：含有作为金属元素或半金属元素的第一元素的基材(2)；位于基材(2)之上的以稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物为主成分的膜(3)；介于基材(2)和膜(3)之间，含有第一元素、钇、以及氧和氟中的至少任意一种的非晶质部(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 构件 具备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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