[发明专利]具有横向受限介电芯或碳掺杂源极接触层的三维存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980079428.0 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN113169181A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 嘉数学;汤田隆;深野勇二;津美正典;R·S·马卡拉;S·卡纳卡梅达拉;神原清彦;东谷正明;崔志欣 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11548;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/203;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器器件，其可包括围绕竖直介电芯的竖直半导体沟道。横向延伸的介电栓在结构上支撑该竖直半导体沟道和该竖直介电芯。该竖直半导体沟道可以是单晶半导体沟道。三维存储器器件可包括定位在衬底上方的源极层级材料层。该源极层级材料层可包括较低半导体层、源极接触层和较高半导体层。该较高半导体层和任选的该较低半导体层中的碳原子可抑制硼原子扩散到该竖直半导体沟道中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 受限 介电芯 掺杂 接触 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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