[发明专利]用于多模半导体检验的光学模式选择在审
| 申请号： | 201980079468.5 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN113169089A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | B·布拉尔;R·威灵福德;K·格拉马;李胡成;S·帕克 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/95;G01N21/88;G06N20/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用主要光学模式扫描一或多个半导体晶片或其部分以识别缺陷。使用电子显微镜选择并检视多个所述经识别缺陷，包含第一类别的缺陷及第二类别的缺陷。基于此检视，将所述多个缺陷的相应缺陷分类为所述第一类别或所述第二类别的缺陷。使用多个辅助光学模式使所述多个所述经识别缺陷成像。基于使用所述主要光学模式的所述扫描及使用所述多个辅助光学模式的所述成像的结果，选择用于结合所述主要光学模式使用的所述辅助光学模式中的一或多者。使用所述主要光学模式及所述一或多个所选择的辅助光学模式针对缺陷扫描生产半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 检验 光学 模式 选择 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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