[发明专利]金属膜的高选择性沉积方法在审

专利信息
申请号: 201980079591.7 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN113166930A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: R·坎乔利亚;M·蒙普尔;J·伍德拉夫;S·沃尔夫;M·布里登;S·T·乌达;A·库梅尔;A·阿努拉格 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司;加利福尼亚大学董事会
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;C23C16/455
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 李跃龙
地址: 德国达*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明构思涉及选择性金属层沉积。实施方案包括一种用于金属的原子层沉积(ALD)的方法,该方法包括以下至少一个循环:a)将衬底暴露于金属有机前体,所述衬底包含的表面包含金属部分和绝缘体部分;b)在衬底的金属部分的上表面上沉积金属有机前体,以在衬底的金属部分的上表面上选择性地提供金属前体层;c)将金属前体层暴露于共反应物;d)将共反应物沉积在金属前体层上,其中所述共反应物参与与金属前体层的配体交换。
搜索关键词: 金属膜 选择性 沉积 方法
【主权项】:
暂无信息
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