[发明专利]用于确定影响半导体制造过程中的产率的根本原因的方法在审
| 申请号： | 201980079801.2 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN113168116A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林晨希;C·E·塔贝里;H·E·采克利;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;B·门奇奇科夫;邹毅;程亚娜;M·P·F·格宁;陈子超;D·哈诺坦耶;张幼平 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种用于确定影响在衬底上制造器件的过程中的产率的根本原因的方法，该方法包括：获得产率分布数据，产率分布数据包括产率参数在整个衬底或其一部分上的分布；获得量测数据的集合，每个集合包括在整个衬底或其一部分上与衬底的不同层相对应的过程参数的空间变化；基于相似度度量来比较产率分布数据和量测数据，相似度度量描述产率分布数据与量测数据的集合中的单独集合之间的空间相似度；从测量数据组中确定量测数据的第一相似集合，就对应层的处理顺序而言，量测数据的第一相似集合是量测数据的第一集合，量测数据的第一相似集合被确定为与产率分布数据相似。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 影响 半导体 制造 过程 中的 根本原因 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980079801.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于机动车光模块的热沉
- 下一篇：前端电路以及通信装置
