[发明专利]用于功率半导体器件的混合短路故障模式预型件在审
| 申请号： | 201980080568.X | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN113169154A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | D·科特;S·基辛 | 申请（专利权）人： | ABB电网瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块，包括：基板(1)；设置在基板(1)的顶部表面上并与基板接触的半导体芯片(2)；设置在半导体芯片(2)的顶部表面上的预型件(3)；与预型件(3)的顶部表面接触并将压力施加到预型件的顶部表面上的按压元件(4)。预型件(3)包括第一导电层(6)和第二导电层(5)。第一导电层(6)具有至少一个突起(7)，该至少一个突起朝向半导体芯片(2)的顶部表面突出并且在预型件(3)的第一导电层(6)中限定至少一个凹部(9)，其中凹部(9)可以环形地围绕突起(7)。至少一个突起(7)由与第一导电层(6)相同的材料制成并与第一导电层一体地形成，或者第一导电层(6)和至少一个突起(7)由不同的材料制成。第二导电层(5)的至少一部分被定位在凹部(9)中和在半导体芯片(2)的顶部表面上。至少一个突起(7)的材料具有比第二导电层(5)的材料更高的熔点。功率半导体模块被配置成使得在具有热量消散的半导体芯片故障的事件中，在由按压元件(4)朝向基板(1)施加压力时，第一导电层(6)的至少一个突起(7)穿透半导体芯片(2)的剩余的材料(8)，以便在短路故障模式下在第一导电层(6)的至少一个突起(7)与基板(1)之间建立接触并形成桥接有缺陷的半导体芯片(2)的短路。预型件(3)的底部表面可以由第二导电层(5)的底部表面单独形成或由第二导电层(5)的底部表面和突起(7)的底部表面形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 半导体器件 混合 短路 故障 模式 预型件 | ||
【主权项】：
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