[发明专利]无空隙低应力填充在审
申请号: | 201980081000.X | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN113166929A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 阿南德·查德拉什卡;杨宗翰 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/52;H01L21/285;H01L21/768;H01L27/11524;C23C16/455;C23C16/06 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文提供了在深特征和相关装置中沉积低应力且无空隙金属膜的方法。所述方法的实施方案包括处理孔的侧壁以抑制金属沉积,同时留下未处理的特征底部。在随后的沉积操作中,金属前体分子扩散到特征底部以进行沉积。该工艺重复对剩余暴露侧壁进行处理的后续抑制操作。通过重复抑制和沉积操作,可以实现高质量的无空隙填充。这使得能执行高温、低应力沉积。 | ||
搜索关键词: | 空隙 应力 填充 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的