[发明专利]基于局部电场来调整图案化过程的模型中的目标特征的方法在审
| 申请号： | 201980081031.5 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113168121A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | R·J·F·范哈恩;L·P·范戴克;O·伊尔迪里姆;O·J·P·毛拉尔 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了基于针对所述图案化过程而估计的局部电场来调整所述图案化过程的模型中的目标特征的方法。所述方法包括获得所关注的掩模叠层区域。所述掩模叠层区域具有与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性。所关注的掩模叠层区域包括所述目标特征。所述方法包括基于与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性来估计局部电场。所述局部电场是针对所关注的掩模叠层区域的邻近于所述目标特征的一部分而估计的。所述方法包括基于所述估计的局部电场来调整所述目标特征。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 局部 电场 调整 图案 过程 模型 中的 目标 特征 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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