[发明专利]利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离在审
申请号: | 201980081565.8 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN113519057A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 埃里克·达德利;梁勇;法拉·纳杰菲;维马尔·卡米尼尼;安·梅里尼丘克 | 申请(专利权)人: | 普赛昆腾公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J1/42;G02B6/43 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 易皎鹤 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光学器件,包括:衬底、在衬底上的电介质层、在电介质层内的波导、在电介质层中并且耦合至波导的光敏部件(例如,光电探测器)、以及在衬底或电介质层的至少一者中的并且被配置成防止杂散光到达光敏部件的多个光隔离结构。在一些实施例中,多个光隔离结构中的光隔离结构包括两个相对侧壁和两个相对侧壁之间的填充材料。所述两个相对侧壁包括光学隔离层。所述填充材料由与衬底或电介质层中的至少一者的热膨胀系数匹配的热膨胀系数表征。 | ||
搜索关键词: | 利用 工艺 集成 波导 探测器 隔离 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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