[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在审
| 申请号： | 201980082049.7 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113243042A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 原田和宏;南政克;小仓慎太郎;大谷翔吾;桥本良知 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 具有下述工序：(a)将表面露出有导电性的金属元素含有膜的衬底在第1温度下向处理室内搬入的工序；(b)在处理室内，在使衬底升温至比第1温度高的第2温度的同时向衬底供给还原气体的工序；(c)在处理室内，通过在第2温度下向衬底供给不含氧化气体的第1处理气体，从而在金属元素含有膜上形成包含氮及碳中的至少任一者和硅而不含氧的第1膜的工序；和(d)在处理室内，通过在比第1温度高的第3温度下向衬底供给包含氧化气体的第2处理气体，从而在第1膜上以比第1膜厚的方式形成包含硅、氧、碳及氮的第2膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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