[发明专利]用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制有效

专利信息
申请号: 201980082054.8 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN113166942B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 高建德;元泰景;卡尔·A·索伦森;桑杰伊·D·雅达夫;李永东;栗田真一;崔寿永 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/505 分类号: C23C16/505;C23C16/455;C23C16/458;H01J37/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中,提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地,并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内,其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地,直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
搜索关键词: 用于 等离子体 增强 化学 沉积 应力 控制
【主权项】:
暂无信息
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