[发明专利]用于3D NAND的源极侧编程、方法和装置在审
| 申请号： | 201980082199.8 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113196400A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨翔;B·墨菲;L·德拉拉玛 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/12;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种源极侧编程方法和系统。存储器阵列的多个块中的坏触发块可通过确定块的漏极侧选择栅极的阈值电压分布以及确定该分布是否异常来检测。如果分布异常，则该块是坏触发块，这可能导致另一个块中的故障。如果块是坏触发块，则通过经由源极侧线将非零电压施加到坏触发块的至少一个源极侧字线来对坏触发块的至少一个字线执行源极侧编程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 nand 源极侧 编程 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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