[发明专利]低调制电压的低温二极管结构有效
| 申请号： | 201980082254.3 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN113169251B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·叶;储荣明;安德鲁·潘 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/60;H01S5/02;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 于未茗 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在低温温度下工作的激光器或光发射器包括单量子阱层、直接位于单量子阱层的第一表面上的n型势垒层，以及直接位于单量子阱层的与单量子阱层的第一表面相对的第二表面上的p型势垒层。单量子阱层位于p型势垒层与n型势垒层之间，并且n型势垒层与p型势垒层的成分渐变。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 电压 低温 二极管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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