[发明专利]利用非钨材料的氟离子植入系统和其使用方法在审
| 申请号： | 201980082496.2 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113261073A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 唐瀛;S·N·叶达弗;J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/16;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明描述用于氟离子植入的系统和方法，其包括用以产生供植入到个体中的氟离子物质的氟气体源和包括一或多种非钨材料(石墨、碳化物、氟化物、氮化物、氧化物、陶瓷)的电弧室。所述系统在系统操作期间最小化氟化钨的形成，由此延长源寿命且促进经改良的系统性能。此外，所述系统可包括氢和/或氢化物气体源，且这些气体可与氟气一起使用以改良源寿命和/或束电流。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 材料 离子 植入 系统 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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