[发明专利]氟离子植入方法和系统在审
| 申请号： | 201980082573.4 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113261074A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 唐瀛;S·N·叶达弗 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明描述用于氟离子植入的方法和系统，其中将能够形成多种氟离子物质的氟化合物在预定流速下引入到离子植入机中。氟离子物质是在预定电弧功率和源磁场下产生，从而提供用于所需氟离子物质的优化束电流。将所需氟离子物质(如具有多个氟原子的离子物质)在所选择的操作条件下植入到衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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