[发明专利]用于处理半导体衬底的方法及设备在审
| 申请号： | 201980082628.1 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN113169043A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·布赖恩;卡尔-海因茨·霍恩沃特;伯恩哈德·洛伊德尔;赫尔穆特·洛伊;阿努尔夫·卡斯特纳;迈克尔·克莱姆;托马斯·科米特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;B81C1/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及适合用于修复或避免半导体衬底上的高深宽比结构的摩擦的气体输送系统和方法。气体输送系统和方法经由经加热的供给线(201)将卤化氢、汽化的溶剂、以及载气的混合物输送至衬底，以避免在气体混合物的运送期间形成液滴。气体混合物供给线优选地保持在包含清扫气体供给线(204)的导管(202)内，使得经由气体混合物供给线(201)所泄漏的任何卤化氢可被导管内的清扫气体流带走。在这样的实施方案中，清扫气体还优选地被加热并用来作为加热气体混合物供给线的分配出口的措施。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 衬底 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
