[发明专利]包含串联选择栅极晶体管的铁电存储器器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201980083062.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113196481A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张艳丽;J·阿尔斯迈耶 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;G11C11/22;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种铁电存储器晶胞包括导通和关断铁电存储器晶胞的选择栅极晶体管与铁电存储器晶体管的串联连接。数据存储在该铁电存储器晶体管的铁电材料层中。该铁电存储器晶胞可为平面结构，其中两个晶体管均为具有水平电流方向的平面晶体管。在这种情况下，该访问晶体管的栅极电极可形成为埋入式导线。另选地，该铁电存储器晶胞可包括竖直半导体沟道的竖直堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 串联 选择 栅极 晶体管 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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