[发明专利]存储器阵列解码及互连件在审
申请号: | 201980083373.0 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN113228290A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | H·A·卡斯特罗;S·W·鲁塞尔;S·H·唐 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00;H01L27/11514;H01L29/786 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 描述用于薄膜晶体管及相关制造技术的方法及设备。所述薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案,其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管,同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所述通路的不同群组,可使用所述制造技术来构建所述薄膜晶体管的不同配置。此外,可使用本文中所描述的所述薄膜晶体管及基于通路的相关制造技术来构造存储器装置的电路及组件(例如解码器电路系统、一或多个存储器阵列的方面之间的互连件)。 | ||
搜索关键词: | 存储器 阵列 解码 互连 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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