[发明专利]存储器阵列解码及互连件在审

专利信息
申请号: 201980083373.0 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN113228290A 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: H·A·卡斯特罗;S·W·鲁塞尔;S·H·唐 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L45/00;H01L27/11514;H01L29/786
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 描述用于薄膜晶体管及相关制造技术的方法及设备。所述薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案,其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管,同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所述通路的不同群组,可使用所述制造技术来构建所述薄膜晶体管的不同配置。此外,可使用本文中所描述的所述薄膜晶体管及基于通路的相关制造技术来构造存储器装置的电路及组件(例如解码器电路系统、一或多个存储器阵列的方面之间的互连件)。
搜索关键词: 存储器 阵列 解码 互连
【主权项】:
暂无信息
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