[发明专利]半导体集成电路装置在审
| 申请号： | 201980083427.3 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113196463A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 白木阳子 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种使用了CFET(Complementary FET)的标准单元的版图构造。俯视时在电源布线(11、12)之间存在立体构造晶体管即晶体管(P1、N1)，晶体管(N1)在深度方向上形成在比晶体管(P1)靠上的位置。局部布线(42)与晶体管(P1)的源极或漏极相连，局部布线(44)与晶体管(N1)的源极或漏极相连。局部布线(42、44)沿Y方向延伸，当俯视时彼此相重叠，并且当俯视时均与电源布线(11、12)重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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