[发明专利]硅晶片的极低氧浓度测定方法有效
| 申请号： | 201980083663.5 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113167726B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 齐藤广幸 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/3563 | 分类号： | G01N21/3563;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供使用FT‑IR简便地、灵敏地测定硅晶片中的间隙氧浓度的方法。单晶硅晶片中的小于1.0×10 |
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| 搜索关键词： | 晶片 低氧 浓度 测定 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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