[发明专利]用于间隙填充的远程氢等离子体暴露以及掺杂或未掺杂硅碳化物沉积

摘要

掺杂或未掺杂硅碳化物(SiCxOyNz)膜可沉积于衬底的一或更多个特征中以用于间隙填充。该掺杂或未掺杂硅碳化物膜的第一厚度沉积于该一或更多个特征中之后，在使该一或更多个特征中的每一特征的顶表面附近的开口的尺寸增大的条件下，将该掺杂或未掺杂硅碳化物膜暴露于远程氢等离子体，其中该条件可通过控制处理时间、处理频率、处理功率、和/或远程等离子体气体组成来控制。重复沉积硅碳化物膜的额外厚度且执行远程氢等离子体处理的操作，以至少基本上填充该一或更多个特征。可于沉积与等离子体处理之间引入各种时间间隔，以调整间隙填充性能。