[发明专利]碳化硅再生基板和碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980084296.0 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113272480A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 本家翼;冲田恭子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/205;H01L21/304;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;牛嵩林 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 碳化硅再生基板具有碳化硅基板和第一碳化硅层。所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相反的第二主面。所述第一碳化硅层与所述第一主面接触。所述碳化硅基板包括从所述第一主面朝向所述第二主面在10μm以内的基板区域。在与所述第一主面垂直的方向上，通过从所述基板区域的氮浓度的平均值减去作为所述基板区域的氮浓度的标准偏差的3倍的值而获得的值大于所述第一碳化硅层的氮浓度的最小值。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 再生 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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