[发明专利]制造隔膜组件的方法在审
| 申请号： | 201980084798.3 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113196168A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 保罗·詹森;J·H·W·昆特泽 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/64;G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法，其中，在限定保持表膜隔膜的表膜边界的一个或多个蚀刻步骤之后，设置形成表膜隔膜的至少一部分的层。还提供一种表膜基底，该基底包括具有正面和背面的叠层，其中，在已经设置形成表膜隔膜的至少一部分的层之前，叠层的背面上的一个或多个层已经被选择性地移除，以限定用于保持表膜隔膜的表膜边界区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 隔膜 组件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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