[发明专利]半导体晶片的评价方法及半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201980084978.1 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113227706B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 西村雅史;田中宏知 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/24 | 分类号： | G01B11/24;B24B49/12;H01L21/304;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片的评价方法，包括通过反射型微分干涉显微镜在评价对象的半导体晶片的外周部的评价对象位置获取微分干涉图像，上述反射型微分干涉显微镜设定为拍摄半导体晶片的主面作为灰色区域且拍摄倒角面作为黑色区域，上述微分干涉图像包含灰色区域和黑色区域，在上述灰色区域与上述黑色区域之间还包含白色区域；包括将上述白色区域的宽度W作为指标，评价上述评价对象位置的半导体晶片的主面与相邻于该主面的倒角面的边界部的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 评价 方法 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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